….Главная страница Проекты Тепловизионная диагностика Технологии

НАЗВАНИЕ ПРОЕКТА

Лазерный сканирующий источник излучения на полупроводниковых мишенях

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ

Источник излучения - лазерная электронно-лучевая трубка, представляющая собой гибрид полупроводникового лазера с электронной накачкой и электронно-лучевой трубки, формирующей электронный пучок накачки и управления излучением.

Экспериментальный образец разработанный в НИИ "Платан".

ДЕТАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ

Лазерный сканирующий источник излучения - лазерная электронно-лучевая трубка представляет собой полупроводниковый лазер с электронной накачкой и сканирующим электронным пучком.

Принцип действия и конструкция многоцветного СПЛЭВ.

Полупроводниковая лазерная мишень преобразует энергию электронного пучка накачки в лазерное излучение. Дискретные длины волн излучения обеспечиваются выбором полупроводникового монокристалла мишени. Интенсивность и пространственное положение электронного пучка на мишени определяют мощность и пространственное положение лазерного луча. Диаметр электронного пучка и распределение тока по его сечению определяют разрешающую способность и диаграмму направленности излучения. Управление лазерным лучом стандартными средствами ТВ техники, допускающими сопряжение с ЭВМ, обеспечивают режимы лазерного телевидения и знакографики. Пространственно-временная синхронизация излучения с фотоприемным устройством обеспечивает локационное видение с лазерной подсветкой, лазерную сканирующую интроскопию биологических объектов, оптических и полупроводниковых материалов с субмикронным разрешением, лазерную диагностику, биостимуляцию, фотодинамическую терапию патологических объектов тела человека.

Технические характеристики:

……Дискретные длины волн излучения………0.33-5.0 мкм

……Ширина спектральной линии излучения10-50 А

……Диаметр рабочей поверхности мишени……до 85 мм

……Диаметр излучающей области………………5-30 мкм

……Диаграмма направленности излучения……до 20 °

……Мощность излучения…………………………1-30 Вт

……Разрешающая способность………………до 2500 ТВ линий

……Контраст изображения………………………150 : 1

……Габаритные размеры……………………Ж 100 x (500-750) мм

……Масса……………………………………………до 1 кг

"Полупроводниковые лазеры с электронно-лучевой накачкой. Применение и перспективы развития."(html) ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ, 1.2007 pdf (2,3 mb)  pdf

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА

В новом поколении излучателей будет использован патент РФ № 2126575, награждённый серебряной медалью на 48-м Международном Салоне изобретений "Брюссель-Эврика-99" в г. Брюсселе в 1999 г.,

и бронзовой медалью на Салоне изобретений в г. Женева, Швейцария в 2000 г.

СТАДИЯ ОСВОЕНИЯ

Мелкосерийное производство; Продажа продукции.