….Главная
страница …Проекты
…Тепловизионная
диагностика …Технологии
НАЗВАНИЕ ПРОЕКТА |
Лазерный сканирующий источник излучения на полупроводниковых мишенях |
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ |
…Источник излучения - лазерная электронно-лучевая трубка, представляющая собой гибрид полупроводникового лазера с электронной накачкой и электронно-лучевой трубки, формирующей электронный пучок накачки и управления излучением. |
Экспериментальный образец разработанный в НИИ "Платан". |
ДЕТАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ |
…Лазерный сканирующий источник излучения - лазерная электронно-лучевая трубка представляет собой полупроводниковый лазер с электронной накачкой и сканирующим электронным пучком. Принцип действия и конструкция многоцветного СПЛЭВ. …Полупроводниковая лазерная мишень преобразует энергию электронного пучка накачки в лазерное излучение. Дискретные длины волн излучения обеспечиваются выбором полупроводникового монокристалла мишени. Интенсивность и пространственное положение электронного пучка на мишени определяют мощность и пространственное положение лазерного луча. Диаметр электронного пучка и распределение тока по его сечению определяют разрешающую способность и диаграмму направленности излучения. Управление лазерным лучом стандартными средствами ТВ техники, допускающими сопряжение с ЭВМ, обеспечивают режимы лазерного телевидения и знакографики. Пространственно-временная синхронизация излучения с фотоприемным устройством обеспечивает локационное видение с лазерной подсветкой, лазерную сканирующую интроскопию биологических объектов, оптических и полупроводниковых материалов с субмикронным разрешением, лазерную диагностику, биостимуляцию, фотодинамическую терапию патологических объектов тела человека. Технические характеристики: ……Дискретные длины волн излучения………0.33-5.0 мкм ……Ширина спектральной линии излучения…10-50 А ……Диаметр рабочей поверхности мишени……до 85 мм ……Диаметр излучающей области………………5-30 мкм ……Диаграмма направленности излучения……до 20 ° ……Мощность излучения…………………………1-30 Вт ……Разрешающая способность………………до 2500 ТВ линий ……Контраст изображения………………………150 : 1 ……Габаритные размеры……………………Ж 100 x (500-750) мм ……Масса……………………………………………до 1 кг
"Полупроводниковые лазеры с электронно-лучевой накачкой. Применение и
перспективы развития."(html) ЭЛЕКТРОННАЯ
ПРОМЫШЛЕННОСТЬ, 1.2007
pdf
(2,3 mb) |
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ |
|
ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА |
В новом поколении излучателей будет использован патент РФ № 2126575, награждённый серебряной медалью на 48-м Международном Салоне изобретений "Брюссель-Эврика-99" в г. Брюсселе в 1999 г., и бронзовой медалью на Салоне изобретений в г. Женева, Швейцария в 2000 г. |
СТАДИЯ ОСВОЕНИЯ |
…Мелкосерийное производство; Продажа продукции. |
|
|