….Главная страница …Проекты …Тепловизионная диагностика …Технологии

Назад к ИПЛЭН

Загрузить полную версию статьи в формате .pdf (2,3 mb)  

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ С ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ НАКАЧКОЙ.
 

ПРИМЕНЕНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
 

М.М. Зверев, МИРЭА, г. Москва;
СВ. Иванов, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, г. С.-Петербург;
И.М. Олихов, ФГУП «НИИ «Платан» с заводом при НИИ», г. Фрязино
 

Представлены результаты работ по созданию полупроводниковых лазеров с электронной накачкой по промышленной технологии. Оцениваются потенциальные возможности использования лазерных электронно-лучевых трубок в дисплеях, в терапии онкологических заболеваний, в исследовании быстропротекающих процессов, в системах воздушной и морской навигации, а также в ТВ-системах с пространственно-временной селекцией. Рассмотрены недостатки лазеров при использовании монокристаллов полупроводников в качестве излучающих элементов и перспективы их замены на полупроводниковые квантово-размерные структуры. Приведены экспериментальные результаты по созданию и исследованию лазерных излучателей на раз-личных полупроводниковых квантово-размерных структурах. Результаты работ открывают возможность создания нового поколения малогабаритных лазеров с электронной накачкой, обладающих уникальными свойствами и перспективами применения в информационных и измерительных системах.

 

Работы по созданию полупроводниковых лазеров с электронно-лучевой накачкой (ПЛЭН) ведутся в мире уже не одно десятилетие [1,2]. Но идея создания такого лазера [3], как и разработка его промышленной технологии [4,5], были впервые реализованы в России.
Применение для накачки активных сред электронного пучка, формируемого и управляемого общеизвестными методами и средствами, позволило разработать новый класс приборов квантовой электроники - лазерные электронно-лучевые трубки, представляющие собой гибриды электронно-оптических систем и полупроводниковых (п/п) лазерных мишеней (рис.1).
Работа таких источников излучения основана на осуществлении и поддержании режимов преобразования энергии модулированных или сканирующих электронных потоков накачки полупроводниковыми оптическими резонаторами в модулированное или сканирующее когерентное излучение (рис. 2). В ряде практических применений лазерной техники ПЛЭН с успехом конкурирует с лазерами других типов, а в ряде случаев позволяет достичь параметров систем, которые невозможно получить другими средствами. Уникальные возможности ПЛЭН определяются характеристиками излучения, которые, в свою очередь, зависят как от характеристик полупроводниковых монокристаллов - преобразователей энергии электронного потока в оптическое излучение, так и от технико-технологических возможностей формирования и модуляции электронных потоков и изготовления полупроводниковых оптических резонаторов (рис.3). Особенности таких лазеров:
- возможность получения излучения в широком оптическом диапазоне (0,32-30 мкм), определяемом шириной запрещенной зоны используемого полупроводникового монокристалла;


aб  в

 

Рис. 1. Конструкции лазеров: а - импульсные лазеры; б, в- сканирующие лазеры

Реально достигнутые характеристики излучения промышленных образцов импульсных и сканирую­щих лазеров с продольной накачкой приведены в табл. 1.
Вышеперечисленные особенности лазеров позволи­ли предложить и реализовать ряд эксперименталь­ных образцов оптико-электронных устройств для информационных и измерительных систем с характе­ристиками, недостижимыми другими средствами [7]:

а                                                            б                                        в
Рис. 2. Схемыработылазеров: а- лазерспоперечнойнакачкой; б- сканирующийлазер; в - импульсныйлазер

а - 1,2- противоположные грани монокристалла; 3 - пучок электронов; 4 - свет; 5 - возбужденная область; 6- держатель; 7-зеркала резонатора

б,в - 1 - подложка; 2 - монокристалл; 3 - зеркала; 4 - область ионизации; 5 - пучок электронов; 6 - оптический поглотитель; 7 - излучающая ячейка

Таблица 1
Характеристики излучения и накачки полупроводниковых лазеров

Материалы мишеней Параметр Импульсный лазер (ИПЛЭН) Сканирующий лазер (СПЛЭН)
ZnS ZnO ZnSSe ZnSe ZnTe ZnCdS CdS CdSSe CdSe CdTe GaAIAs GaAs InP GaAlP InGaAs GaAsP GaSb GaAsSb InGaAs

Длина волны излучения, Ǻ

320-1700

320-1700

Полуширина линии излучения, мкм

30-60

20-50

Диаметр излучающей ячейки, мм

100-150

20-30

Диаметр излучающей поверхности, мм

≤20

≤80

Количество излучающих ячеек, шт.

2-(103-104)

≤107

Длина оптического резонатора, мкм

30-50

5-7

Напряжение накачки, кВ

150-250

40-50

Плотность тока накачки, А/см2

1000

100-200

Длительность импульса излучения, с

(3-5)x10 -9

З0 x10 -9*

Мощность излучения ячейки в импульсе, Вт

(0,5-1,0)-103

2,5-5,0

Мощность излучения мишени в импульсе, Вт

(5-10) x10 6

2,5-5,0

Энергия излучения ячейки, Дж

(2,5-5,0) x10 -6

(0,1-0,3) x10 -6

Энергия излучения мишени, Дж

(25-50) x10 -3

(120-360) x10 -3*

Задержка излучения относительно импульса накачки, с

≤10 -11

≤ 10 -11

Расходимость излучения, град.

15-25

10-20

КПД, %

5-8

3-5

Рабочая температура, °С

≤20

минус 20

* Развертка по второму ТВ-стандарту: строка — 30 x10 -6 с; ячейка — 30 x10 -9 с.

С помощью импульсного лазера (ИПЛЭН) впервые удалось зарегистрировать ударные волны в жидко­сти от пузырьков, захлопывающихся после роста в волне разгрузки (рис.7), определить их пространствен­ную протяженность, длительность и давление.
Генерация излучения одновременно на 3-х длинах волн позволила определить концентрацию электронов в плазменном шнуре высоковольтного искрового разряда методом, описанным в работе [15] (рис.8). Летные испытания экспериментальных образцов модулей на импульсных (ИПЛЭН) лазерах проде­монстрировали эффективность их использования для зрительных оптических систем посадки летатель­ных аппаратов (ЛА) с расстояний в 15-20 км [13].

Рис. 3. Конструкции лазерных излучателей: а - сканирующий лазер; б- импульсный лазер. 1 - лейкосапфировый диск; 2 - оптический клей; 3 - выходное интерференционное зеркало; 4-матрица излучателей; 5-оптический поглотитель; 6 - глухое зеркало

абв

Рис. 4. Визуализация обтекания
баллистического объекта:
а- рубиновыйлазер, v= 800 м/с;
б- ИПЛЭН,v = 800м/с;
в - ИПЛЭН, v= 800 м/с


 Рис. 5. Пространственно-временная визуализация объектов: а - железнодорожный переезд. Дистанция 60м; б - береговая линия. Дистанция 600 м

Рис. 6. Проекция изображения с помощью СПЛЭН на большой экран:

а - изображение испытательной таблицы на экране 35 м2 с разрешением 1200 строк;

б - изображение в режиме SVGA

Использование в комплекте модулей на импульсных (ИПЛЭН) и сканирующих (СПЛЭН) лазерах обес­печивает одновременное высвечивание трехцвет­ной курсоглиссады в виде пространственно управ­ляемого светового коридора и подсветку границ ВВП и РД в режиме пространственно-временной селекции. Одновременно с высвечиванием цвето­вых зон модулированное лазерное излучение обес­печивает в режиме оптической локации определе­ние местоположения ЛА в цветовой зоне и расстоя­ние до него. Информация о местоположении ЛА от руководителя визуальной посадки может быть пе­редана на борт самолета или корабля, обеспечивая независимость работы оптической системы от ес­тественных и преднамеренных световых и радио­электронных помех (рис.9). Особенностью модулей является повышенная проницаемость лазерного из­лучения в плохих метеоусловиях. В то же время, бла­годаря низкой когерентности излучение не оказыва­ет вредного воздействия на глаза человека.

Несмотря на то, что перечисленные выше возмож­ности использования лазеров с накачкой электронным пучком апробированы и экспериментально подтверждены, широкого распространения такие си­стемы не получили. Главными причинами этого яв­ляются высокий уровень пороговой плотности мощ­ности накачки, высокие напряжения, необходимость охлаждения, трудоемкость изготовления излучающих мишеней и выращивания монокристаллов полупро­водников заданного качества. Действительно, в им­пульсных лазерах максимальные мощности получе­ны при энергиях электронного пучка 250-350 кэВ [5]. В проекционных системах отображения информации обычно используются пучки с энергией 50-70 кэВ, причем для охлаждения кристаллов используются холодильные установки [12]. Использование высо­ких напряжений неизбежно приводит к увеличению размеров устройства и усложнению конструкций модулей.

Рис. 7. Ударная волна в жидкости:

а - общий вид эксперимента; б, в - увеличенное изображение пузырьков. Диаметрпузырьков около 30 мкм; давление около 3000 атм.; время экспозиции 5 нс; протяженность фронта около 30 мкм; скорость распространения фронта 1500м/с

Рис. 8. Визуализация процессов в плазме высоковольтного разряда на трех длинах волн одновременно:

а - λ= 510-660 нм, Δλ= 150 Å; б - λ= 525 нм, Δλ = 35 Å; в - λ = 635 нм, Δλ = 45 Å

а б

Рис. 9. Системы визуальной навигации: а - воздушная система навигации; б - морская система навигации

Сегодня, благодаря технологическим успехам, по­явилась возможность значительно улучшить пара­метры ПЛЭН. Так, в качестве активного элемента лазера используются квантово-размерные (КР) гетероструктуры. За счет локализации электромагнитного поля в пределах волновода и эффективного дрейфа носителей к активной области удается уменьшить потери света на длине волны генерации и увеличить концентрацию частиц в области реком­бинации. Изменение энергетического спектра носи­телей заряда в КР-структурах приводит к увеличе­нию спектральной плотности излучения.

Это позволяет уменьшить рабочую энергию пучка и поро­говую плотность тока, а также повысить рабочую температуру кристалла до комнатной. Подобные структуры широко используются при из­готовлении лазерных диодов (ЛД). Однако при ис­пользовании электронно-лучевой накачки не требу­ется наличия p-n-перехода и омических контактов, что значительно упрощает техноло­гию изготовления активных элемен­тов, расширяет возможности выбора соединений для работы на разных длинах волн и позволяет уйти от про­блем, ограничивающих срок службы ЛД. При электронно-лучевой накач­ке неравновесные носители возбуж­даются в объеме, определяемом се­чением электронного пучка и глуби­ной его проникновения в кристалл. Таким образом, отсутствует прису­щая ЛД проблема транспортировки носителей заряда в активную об­ласть. Благодаря этому объем активной области при накачке лазера электронным пучком может быть значительно больше, чем при инжекционной накач­ке, что позволяет получать больший уровень выход­ной мощности. Увеличивая поперечное сечение пуч­ка, можно проводить накачку лазерных сборок, со­стоящих из большого числа лазерных элементов Это обеспечивает дальнейшее увеличение выход­ной мощности и одновременно позволяет ПЛЭН работать на нескольких длинах волн.

Эффективность использования КР-структур в ПЛЭН была продемонстрирована как в нашей стране, так и за рубежом. В частности, применение многослойных КР-гетероструктур в лазерах с продольной накачкой позволило получить генерацию в сине-зеленом диа­пазоне в сканирующем режиме при комнатной тем­пературе со средней мощностью больше двух ватт. Прибор работал при напряжении более 30 кВ, а поро­говая плотность мощности накачки превышала 1 МВт/см2 [16]. Применение КР- структур в сочета­нии с автоэмиссионными источниками электронов позволило создать лазеры, работающие при энергии электронов ~10 кэВ в красном и инфракрасном диа­пазонах на структурах CdTe/CdMnTe и GaAs/GaAlAs при комнатной температуре [17], и в сине-зеленом диапазоне (структуры ZnCdSe/ZnSe)- при криоген­ном охлаждении образца [18]. При этом лазер пред­ставлял собой ЭЛТ длиной около 15 мм.

 

Широкозонные полупроводники на основе ZnSe, ис­пользуемые при создании ПЛЭН сине-зеленого диапазона, наиболее ярко демонстрируют основные преимущества ПЛЭН по сравнению с ЛД на ZnSe. В данном случае ПЛЭНы являются реальной аль­тернативой инжекционным приборам, времена жиз­ни которых при комнатной температуре в непрерыв­ном режиме не превышают 400 часов. Именно ис­пользование нелегированных КР-структур в ПЛЭН позволяет обойти проблему p-легирования ZnSe, ко­торая заключается в нестабильности азотного ак­цептора в ZnSe, приводящей к деградации ЛД [19].

Попытки создания ПЛЭН на основе селенида цин­ка предпринимаются уже в течение нескольких десятков лет. Впервые о получении генерации при элек­тронной накачке полупроводникового лазера на ос­нове объемного кристалла ZnSe сообщалось в 1967 году [20]. Пороговая плотность при температуре 77 К и энергии электронного пучка 45 кэВ составила 20 А/см2. Дальнейшие исследования, направленные на снижение порога генерации, повышение рабочей тем­пературы, велись как по пути совершенствования качества используемых полупроводниковых крис­таллов, так и по линии использования эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур.

Рис. 10. Зонная диаграмма лазерных КР-структур

 

Рис. 11. Зависимость пороговой плотности тока от толщины внешнего ограничивающе­го слоя ZnMgSSe

 

КР-структуры для сине-зеленых ПЛЭН с попереч­ной накачкой электронным пучком выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs. Для ограничения области ло­кализации световой волны в резонаторе, увеличе­ния эффективности сбора носителей и стойкости всей структуры к механическим напряжениям волноводная область структур формировалась в виде сверх­решетки (СР) ZnSSe/ZnSe с периодом в несколько нанометров, ограниченной широкозонными слоями


 ZnMgSSe. Для разных структур варьировались толщины внешнего слоя ZnMgSSe (d) и СР волновода (Н). Схематическая зонная диаг­рамма исследуемых КР-структур представлена на рис. 10. Структу­ры отличались также и строени­ем активной области, в качестве которой применялась как кванто­вая яма (КЯ) ZnCdSe, так и нано­структуры CdSe/ZnSe с квантовы­ми точками (КТ). ПЛЭН с актив­ной областью на основе КЯ (ZnCdSe) и толщиной внешнего слоя d=50-100 нм продемонстриро­вали значения пороговой плотности тока при комнатной температуре ~3-3,5 А/см2 при энергии электрон­ного пучка 25 кэВ [21]. Длитель­ность импульсов накачки состав­ляла 50 не при частоте следова­ния до 10 Гц. Максимальная оп­тическая мощность генерации (на одну грань) при энергии электронов 25 кэВ и плот­ности тока ~10А/см2 составила 5,5 Вт. Использова­ние лазерной КР-структуры такой же геометрии, но с активной областью на основе CdSe-наноструктур с КТ (при номинальной толщине слоя CdSe 2,5-2,8 монослоя (МС)) позволило получить генерацию в зеленой области спектра (520-530 нм) при энергиях электронов 8-30 кэВ и уменьшить пороговую плотность тока пучка электронов до уровня (0,6 - 0,8) А/см2 при комнатной температуре [22]. Максимальная импуль­сная мощность генерации составила 9 Вт при эф­фективности 1,6% на одну грань. Благодаря более полному использованию энергии накачки в КР-структуре с увеличенной до 0,4 мкм толщиной СР-волновода и активной областью в виде трех равно­мерно распределенных плоскостей КТ CdSe, мак­симальные значения эффективности и выходной мощности составили соответственно 4% и 12 Вт с одной грани кристалла [23].

  Адаптация полупроводниковых активных элементов для использования в компактных ПЛЭН с источниками электронного пучка в виде, например, холод­ных катодов предполагает существенное снижение анодных напряжений при сохранении малой плотно­сти тока в пучке. Потребовалась дальнейшая опти­мизация конструкции лазерной КР-структуры на ос­нове селенида цинка, которая привела к значитель­ному уменьшению толщины d внешнего слоя ZnMgSSe. Благодаря этому были снижены потери энергии накачки во внешнем ограничивающем слое, особенно существенные при малых энергиях элек­тронного пучка, когда глубина проникновения пучка в кристалл составляет доли микрона. Этот эффект проиллюстрирован на рис.11, где представлена за­висимость пороговой плотности тока от толщины d. Для накачки оптимизированных КР-структур исполь­зовался импульсный электронный пучок с энергией электронов до 12 кэВ и плотностью тока в плоскости образца до 3 А/см2. Длительность импульсов состав­ляла около 200 нc, частота следования - до 10 Гц.

Рис 12. Зависимость пороговой плотности тока от энергии электронного пучка для лазеров на основе различных

КР-структур: #4446-d=20 нм, Н=0,37мкм;

#4445 - d=20 нм, Н=0,62 мкм; #4436 - d=50нм, Н=0,25 мкм.

На вставке представлен спектр излучения лазера

на основе структуры с d = 20 нм и Н = 0,37 мкм

 

На рис.12 представлена зависимость пороговой плотности тока Jпop от энергии электронов для лазеров на основе разных структур. Минимальное зна­чение пороговой плотности тока 0,4-0,5 А/см2 на­блюдалось при энергии пучка 8-9 кэВ для лазеров на основе структуры с толщиной d=20 нм при длине резонатора L=0,92 мм. Стоит отметить, что в лазе­рах с оптической накачкой на основе таких КР-струк­тур был получен рекордно низкий порог генерации -2.5 кВт/см2 [24]. Как следует из рис.2, пороговая плотность тока возрастает при уменьшении длины резонатора, существенно увеличивается с ростом толщины внешнего слоя d и уменьшается с пониже­нием энергии. Минимальная энергия электронного пучка, при которой удалось получить генерацию в таких КР-структурах, составила 3,7 кэВ. При энер­гии пучка около 5 кэВ максимальная импульсная мощность достигала около 2 Вт. Спектр излучения лазера на основе структуры с толщиной внешнего слоя d = 20 нм до и после порога генерации представ­лен на вставке к рис. 12. Длина волны в максимуме составила 535 нм при ширине линии около 2-3 нм.

 

 Приведенные примеры показывают, что использо­вание КР-гетероструктур позволяет получить лазерное излучение при комнатной температуре и при низких значениях ускоряющего напряжения. При этом имеется возможность дальнейшего уменьшения ра­бочего напряжения и увеличения эффективности ге­нерации путем совершенствования конструкции п/п структуры. Благодаря низким значениям пороговой мощности накачки, нагрев образца в условиях экспе­римента пренебрежимо мал, то есть имеется возмож­ность значительного увеличения энергетических па­раметров за счет увеличения длительности и часто­ты следования импульсов накачки и использования сканирующего режима работы. Оценки показывают реальность достижения в лазерах данного типа уровня средней мощности в несколько ватт.

Полученные в экспериментах низкие значения по­роговой плотности тока пучка при умеренных уско­ряющих напряжениях и комнатной температуре от­крывают возможность создания компактных прибо­ров - ПЛЭН. При этом благодаря использованию различных п/п структур можно существенно расши­рить рабочий спектральный диапазона лазеров. Ис­пользование структур на основе нитридов Ga и Al, a также соединений ZnMgO, позволит в будущем пе­рейти к освоению УФ-области спектра.

Достижения радиоэлектроники тесно связаны с новыми открытиями и физическими процессами. Катодолюминесценция (взаимодействие электрон­ного потока с люминофорами) породила класс при­боров - ЭЛТ, без которых немыслимы современ­ные средства отображения информации. Изобрете­ние лазера и работы по созданию п/п лазеров дали возможность создать новый тип лазерных ЭЛТ -ПЛЭН, не имеющий мировых аналогов. Накоплен­ный опыт формирования электронных потоков в ЭЛТ, их модуляции и управления позволили получить уни­кальные характеристики излучения ПЛЭН, недо­ступные лазерам других типов, и найти им практи­ческие приложения.

Дальнейшее совершенствование ПЛЭН и перс­пективы их массового использования связаны с со­зданием нового поколения лазеров на основе много­слойных КР-гетероструктур в качестве их активных элементов.

 

Заключение

В радиоэлектронике, как ни в одной отрасли, новей­шие достижения теснейшим образом связаны с но­выми открытиями и использованием физических процессов, протекающих в микромире. Физический эффект катодолюминесценции (взаимодействие электронного потока с люминофорами) породил це­лый класс приборов - электронно-лучевых трубок (ЭЛТ), без которых немыслимы современные сред­ства отображения информации. Открытие лазерно­го эффекта и последующие работы по созданию полупроводниковых лазеров дали возможность со­здать новый тип лазерных ЭЛТ - полупроводнико­вые лазеры с электронной накачкой (ПЛЭН), не имеющих мировых аналогов. Накопленный научно-технический и технологический потенциал по фор­мированию электронных потоков в ЭЛТ, их модуля­ции и управлению позволили получить уникальные характеристики лазерного излучения ПЛЭН, недо­ступные лазерам других типов, а также найти свою нишу в практическом применении, расширяющую возможности использования лазерной техники в раз­личных областях.

Дальнейшее совершенствование ПЛЭН и, самое главное, перспективы их массового использования в уже опробованных областях связаны с освоением нанотехнологии для создания нового поколения ла­зеров на основе многослойных квантово-размерных гетероструктур в качестве их активных элементов. Внедрение открытий и привлечение научного потен­циала коллектива ученых ФТИ РАН им. А.Ф. Иоф­фе, возглавляемого академиком Ж.И. Алферовым, позволят довести новое поколение ПЛЭН до про­мышленного выпуска.

ЛИТЕРАТУРА

1.       Королев СВ., Олихов И.М., Петров Д.М. Электронное возбуждение полупроводниковых лазеров. -Электронная промышленность, вып. 2,1973, с. 21-34.

2.       Богданкевич О.В. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. Обзор. Квантовая электроника, 212, 1994, № 12, с. 1113-1134.

3.      Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Девятков А.Г. Оптический квантовый генератор на кристалле CdS с возбуждение быстрыми электронами. - ДАН СССР.
Сер. физ., 1964, т. 195, № 4,783.

4.      Уласюк В.Н. Квантоскопы. - М.: Радио и связь,1988.

5.      Олихов И.М. ИПЛЭН - новое поколение приборов квантовой электроники. - Электроника: Наука,Технология, Бизнес, 1998, № 3-4,25-29.

6.      Богданкевич О.В., Королев СВ., Наседкин А.А.,
Олихов И.М., Петров Д.М. Накачка полупроводникового лазера модулированным СВЧ сигналом. -Квантовая электроника, 1971, № 4, с. 97-99.

7.      Богданкевич О.В., Меерович Г.А., Олихов И.М.,
Садчихин А.В. Устройства на основе полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. - Радиотехника и электроника, 1999,44, 8,901-919.

8.      Новицкий Л.А., Степанов Б.М. Фотометрия быстропротекающих процессов. Справочник. -М.: Ма­шиностроение, 1983, с. 233-242.

9.      Королев СВ., Олихов И.М. Исследование структуры и процессов формирования электронных пото­ков в СВЧ приборах с помощью эффекта электрон­ного возбуждения полупроводников. – Электронная техника. Сер. 1, 1977, № 1, с. 52-60.

10.   Гольченко А.Н., Глаголев А.И., Иванов В.Ф.,
Менде Н.П., Олихов И.М., Петрушенко Ю.В. Оптические исследования быстропротекающих процес­сов с использованием полупроводниковых лазеров с электронной накачкой. - Измерительная техника, 1994, №6, с. 22-23.

11.      Богданкевич О.В., Садчихин А.В., Созинов СБ.,
 Уласюк В.Н. и др. Проекционные системы отображения информации на основе квантоскопов. - Тех­ника кино и телевидения, 1998,10.

12.      Макиенко О.М. Лазерные кинескопы нового поколения. Электроника: Наука, Технология, Бизнес,
2000, № 6, с. 54-56.

13.      Олихов И.М., Косовский Л.А. Мобильная лазерная трехцветная навигационная система. Надеж­ность в экстремальных ситуациях. - Электроника:Наука, Технология, Бизнес, 1999, № 3, с. 46-49.

14.      Vakulovskaya E.G., Meerovich G.A., Chental V.V.,Ulasuk V.N. CIS Selected Papers. "Laser Use in Oncology". - SPIE, 1996, v. 2728,210.

15.    Диагностика плазмы / Под ред. Р. Ходдлстоуна и  СМ. Леонарда. - М.: Мир, 1967.

 

16.    Basov N.G., Dianov E.M., Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Nasibov A.S., Popov Yu.M., Prokhorov A.M., Trubenko P.A., Shcherbakov E.A. Laser Cathod - Ray Tubes Using Multilayer   Heterostructures. - Laser Physics, 1996, vol.6, 3,608-611.

 

17.    Molva E., Accomo R., Labrunie G., Cibert J., Bodin C, Dang L.SFenillet., G.. Microgun-pumped semiconductor laser. - Appl. Phis. Letters, 1993, 62,796.

 

18.    Herve D., Accomo R., Molva E., Vanzetti L., Paggel J.J., Sorba L., Francioci A.. Microgun-pumped   blue lasers. -Appl. Phys. Letters, 1995,67 (15), 9,2144-2146.

19.    Ivanov S.V. Novel Materials and Designs for Long- Living II-VI Blue-Green Lasers. - Phys. Stat. Sol. 2002, (a) 192(1), 157-165.

20.    Bogdankevich O.V., Zverev M.M., Krasilnikov A.I., Pechenov A.N. -Phys. Stat. Sol. 1967, 19, K5

21.  Zverev M.M., Sorokin S. V., Sedova I.V., Peregoudov D.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S. ZnSe - based room temperature low-threshold electron - beam pumped semiconductor laser. Physica Status Solidi, 2002, (b), 229(2), 1025.

22.  Зверев М.М., Иванов СВ., Перегудов Д.В., Сорокин СВ., Седова И.В., Копьев П.С. - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2002, 9, 22.

23.      Zverev M.M., Sorokin S.V., Sedova I. V., Peregoudov D.V., Ivanov S.V. and Kop'ev P.S. High-efficiency Electron-Beam Pumped Green Semiconductor Lasers Based on Multiple Quantum Disk Sheets. - Phys. Stat. Sol., 2005, (c) 2(2), 923.

24.      Sorokin S.V, Sedova I.V., Toropov A.A., Yablonskii G.P., Lutsenko E.V, Voinilovich A.G., Danilchyk A.V., Dikme Y., Kalisch H., Schineller В., Heuken M. and Ivanov S.V. - High-efficiency integral III-N/II-VI laser converter. - Electron. Lett, 2007, 43 (3), 162.